英飞凌XDP™混合反激式控制器与CoolGaN™技术赋能安克业界领先的160W Prime充电器 作者： 时间：2025-12-01 来源：EEPW 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达160W功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺寸。这一合作成果正在重新定义高功率密度和高效率的行业标准，尤其体现在安克推出的160W Prime充电器上。这款业界领先的设备采用英飞凌最新的XDP™数字控制器以及基于氮化镓（GaN）的CoolGaN™晶体管技术，实现了如信用卡般小巧的设计，使其成为旅行者和专业人士的理想选择。

Anker Prime 160W三口充电器

英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoisr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫ohl表示：“在英飞凌，我们坚信释放安克充电器技术全部潜力的关键在于系统化的整体解决方案。通过设计并优化包括氮化镓器件、驱动器以及控制单元在内的整个系统，我们在充电器中实现了前所未有的效率、功率密度和可靠性。与安克携手，我们致力于提供高性能、紧凑型且高能效的充电解决方案，以满足当今移动设备日益严苛的需求。”

英飞凌的数字控制技术确保了精确的能量管理，而基于氮化镓的器件在高频和高效功率转换方面表现出色。通过将功率因数校正（PFC）与混合反激式控制（HFB）阶段集成，既缩小了尺寸，又提升了整体性能，英飞凌XDP XDPS2221E混合反激数字组合控制器提升了充电器的能效，在不影响可靠性的前提下实现更高的功率密度。该技术可使任意单个USB-C端口输出高达140 W的功率，并智能分配总功率160 W至三台设备。其他关键器件包括带集成驱动器的CoolGaN™ Drive 700 V G5以及集成2个GaN晶体管于单封装的CoolGaN™ Transistor Dual 650 V G5，不仅节省了电路板空间，还优化了布局设计。

通过采用高效设计、高频开关、软开关控制以及数字组合控制技术，并结合多项专利创新，英飞凌优化了安克Prime充电器的整体系统性能。这不仅在相同尺寸内实现了更高的输出功率，还减少了外围器件数量，降低了物料清单（BOM）成本。

此次合作得益于英飞凌与安克在深圳设立的创新应用中心。该中心致力于研发更高能效、更低碳排放的充电解决方案，支持低碳化进程，并推动快充领域的创新发展。